WWW.UK.X-PDF.RU

БЕЗКОШТОВНА ЕЛЕКТРОННА БІБЛІОТЕКА - Книги, видання, автореферати

 
<< HOME
CONTACTS




Продажа зелёных и сухих саженцев столовых сортов Винограда (по Украине)
Тел.: (050)697-98-00, (067)176-69-25, (063)846-28-10
Розовые сорта
Белые сорта
Чёрные сорта
Вегетирующие зелёные саженцы



Работа в Чехии по безвизу и официально с визой. Номер вайбера +420704758365

Продажа зелёных и сухих саженцев столовых сортов Винограда (по Украине)
Тел.: (050)697-98-00, (067)176-69-25, (063)846-28-10
Розовые сорта
Белые сорта
Чёрные сорта
Вегетирующие зелёные саженцы
Pages:   || 2 |

«Iнститут фiзики напiвпровiдникiв Iменi В.Є. Лашкарьова НАН України - 50 років нерівноважних явищ у напівпровідниках, гетероструктурах та квантоворозмірних напівпровідникових системах ...»

-- [ Страница 1 ] --

Iнститут фiзики напiвпровiдникiв Iменi В.Є. Лашкарьова НАН України - 50 років

нерівноважних явищ у напівпровідниках, гетероструктурах та

квантоворозмірних напівпровідникових системах для опто- та

фотоелектроніки.

• Розробка технологій одержання гетеро- та квантоворозмірних

фоточутливих і випромінюючих структур з метою оптимізації

методів виготовлення та діагностики приладів і пристроїв опто- та

фотоелектроніки.

• Теоретичні та експериментальні дослідження фізичних процесів у фотонних структурах, розробка методів отримання фотонних структур.

• Розробка методів моделювання процесів переносу заряду та діагностики параметрів фоточутливих і випромінюючих структур та великих інтегральних схем зчитування інформації при кріогенних температурах.

• Відділ фізики і технології низьковимірних систем (№ 38) Завідуючий відділом - член-кореспондент НАН України, проф. Федір Федорович Сизов. У відділі, з кількістю співробітників 34 особи, працюють 3 доктори наук, 12 кандидатів наук. Відділ № 38 на базі лабораторій № 38 (створена у 1982 р.) та № 44 було спрямовано на дослідження електричних властивостей та параметрів енергетичного спектра низьковимірних напівпровідникових систем (гетеропереходів, надграток, квантових ям та ін.) і розробку технологічних методів їх отримання. Ці дослідження були спрямовані на вирішення практичних проблем напівпровідникової оптоелектроніки та фотоелектроніки. У теперішній час відділ №38 проводить теоретичні та експериментальні дослідження і впроваджує свої розробки у галузі інфрачервоної техніки, терагерцової та мікрофотоелектроніки.

За 18 років існування відділу виконано 12 НДР та ДКР, у тому числі 2 міжнародних контракти, надруковано 3 монографії, більш ніж 300 статей у провідних закордонних та вітчизняних виданнях, отримано більше 10

Співробітники від. 38. Зліва направо:

патентів та авторських свідоцтв на винахоЖ.В. Гуменюк-Сичевська, О.Г.

Голенков, Ф.Ф. Сизов, В.В. Забудський ди, а результати досліджень доповідались Iнститут фiзики напiвпровiдникiв Iменi В.Є. Лашкарьова НАН України - 50 років на 60 міжнародних конференціях. Керівник відділу приймав участь у якості голови або співголови більш ніж у 10 міжнародних конференція

–  –  –

Iнститут фiзики напiвпровiдникiв Iменi В.Є. Лашкарьова НАН України - 50 років скопа «ФемтоСкан» та безконтактного інтерференційного 3D профілографа «Мікрон-альфа». Устаткування, що використовується, дає можливість дослідження не тільки топографії поверхні, але і цілого ряду її механічних, електрофізичних й магнітних властивостей, а також модифікації поверхні.

Принцип роботи даного профілометра полягає у відновленні мікротопографії поверхні методом обробки послідовності інтерференційних даних при частковому когерентному освітленні. При цьому забезпечується видимість інтерференційних смуг у кожній точці ПЗЗ матриці при нульовій різниці ходу світлових хвиль для відповідного положення рухомого дзеркала. За послідовністю зареєстрованих кадрів встановлюються шукані характеристики поверхні об’єкта, тобто реєструються значення максимумів (висот) у всіх точках матриці, що відповідає 3D рельєфу.

СТМ застосовується для дослідження провідників та тонких плівок (чи невеликих об’єктів), які нанесено ФПП з газовою кріогенною машиною на поверхню провідника. Дає можливість отримання зображення рельєфу, у режимі літографії дозволяє проводити локальний вплив на поверхню імпульсами напружень (змінювати рельєф, фізичні та хімічні властивості поверхні), вимірювати вольт-амперні характеристики у заданих точках.

У відділі для експериментального та теоретичного вивчення вирощуваних тонких епітаксійних плівок (телуриду кадмію, кадмій-ртуть-телуру, алмазоподібних DLC-плівок) застосовується метод еліпсометрії. Еліпсометричні дослідження проводяться на стандартному нуль-еліпсометрі ЛЭФМ-1 (=632,8нм) та на фотометричному еліпсометрі (=579; 546; 435; 405;

366 нм) при різних кутах падіння. Дослідження на різних довжинах хвиль дозволяє точно визначити модель відбиваючої системи, котру застосовують для теоретичної обробки результатів (в нашому випадку для розв’язання оберненої задачі еліпсометрії, яка полягає у знаходженні параметрів відбивної системи за виміряними величинами еліпсометричних параметрів і ).

Модельні обрахунки дозволяють визначити показники заломлення і поглинання, товщини досліджуваних плівок, а також розподіл товщини по

Iнститут фiзики напiвпровiдникiв Iменi В.Є. Лашкарьова НАН України - 50 років

площі зразка. Найбільш важливі результати, які отримані під час роботи

– розроблена методика, яка дозволяє більш легко та ефективно визначити оптичні параметри та товщини напівпровідникових гетероструктур.

Роботи з дослідження фізичних характеристик та фотовідгуку розроблених структур на основі вузькощілинних напівпровідників у мм та суб-мм частинах спектра призвели до Зовнішній вигляд тепловізора створення нового класу приймачів випромінювання у цих спектральних ділянках – широкодіапазонних неохолоджуваних або слабкоохолоджуваних приймачів ТГц випромінювання на гарячих носіях заряду (див. мікрофотографію одного з елементів з с. 368), що може мати значення для створення швидкодіючих малогабаритних спектрометрів та приладів активного бачення ТГц діапазону спектра. У відділі розроблені топології та технологічні маршрути виготовлення неохолоджуваних або слабкоохолоджуваних приймачів міліметрового та суб-міліметрового діапазонів спектра на основі гарячих носіїв заряду на епітаксійних шарах кадмій-ртуть-телур. Розробка базується на ефекті розігріву газу вільних носіїв заряду у вузькощілинних напівпровідниках з власною провідністю.

Досліджені умови захоплення нерівноважних носіїв заряду під дією рентгенівського випромінювання у напівізолюючому матеріалі на основі CdTe. Визначено фізичні засади досягнення напівізолюючого стану за рахунок компенсації електричного заряду домішковими центрами з глибоким електронним рівнем у забороненій зоні, а також оптимізації темпу захвата нерівноважних носіїв заряду на цей рівень. Досліджені рекомбінація та захоплення нерівноважних носіїв заряду у напівізолюючому матеріалі на основі CdTe. Встановлено, що дефекти у об’ємному матеріалі, такі як домішки олова і вакансії Cd та її комплекси, суттєво збільшують захоплення фотогенерованих нерівноважних носіїв заряду і таким чином зменшують чутливість детекторів іонізуючого випромінювання.

При вивченні рекомбінації у об’ємній та нанокристалічній формі II-VI напівпровідникових сполук виявлено тотожність власних точкових дефектів, а саме: досліджено механізми рекомбінації у об’ємному та колоїдних нанокристалах CdTe, CdSe та CdS; встановлено, що у спектрах об’ємного ма

<

Iнститут фiзики напiвпровiдникiв Iменi В.Є. Лашкарьова НАН України - 50 років

теріалу та колоїдних нанокристалів CdTe присутні подібні смуги рекомбінаційного випромінювання, за яке відповідають власні точкові дефекти, а саме, вакансії Cd та Te, Se або S.

Ці дефекти вивчались шляхом порівняння спектрів люмінесценції та циклічної вольтаметрії, що надало можливість ідентифікувати два основних електронних рівня, якими є пастки дірок та електронів, зокрема, ці рівні є в CdTe при енергії EV=+0.5 eV та EС=–0.5 eV. У CdSe є дві пастки для дірок при EV=+0.52 eV та EV=+0.8 eV, дві електронні пастки EС=–0.25 eV та EС=–0.65 eV. Пропонуться, що рівень 2+/1+ вакансії кадмію, VCd та Tei Стенд для тестування великих інтегральних схем є відповідно акцептором, а рівень 2–/1–, який ната фотоприймальних лежить телуровому антисайту (TeCd), є відповідно пристроїв інфрачервоного рівнем донора.

діапазону спектра Розроблено технологічні, схемотехнічні, апаратні та програмні рішення для створення тепловізійних пристроїв. Виготовлено як окремі їх частини, так і вперше в Україні прилад в цілому на основі багатоелементних приймачів випромінювання. Розроблено комплект конструкторсько-технологічної документації для промислового дрібносерійного випуску тепловізора. Створений тепловізійний прилад має високу (80 мК) температурну та просторову (1,5 мрад) роздільну здатність, телевізійну частоту кадрів і може знайти застосування у медицині, при моніторингу втрат у нафтопроводах, теплотрасах, контролю тепловтрат у будівельних та промислових спорудах, інших застосуваннях екологічного моніторингу.

Відділ має обладнання для виготовлення напівпровідникових приладів, інтегральних та гібридних схем для різних технологічних процесів, у тому числі і для мікропайки та ультразвукової мікрозварки. Розроблено технологію вирощування In мікростовпчиків діаметром ~10 мкм (див. рис. на с.


Купить саженцы и черенки винограда

Более 140 сортов столового винограда.


368) для гібридного з’єднання матриць приймачів випромінювання з кремнієвими великими інтегральними схемами зчитування. Разом з фахівцями ФТІНТ НАНУ створено матричний ІЧ ФПП з газовою кріогенною машиною (див. мал. 369).

Зростання числа елементів в кожній мікросхемі призводить до збільшення кількості контактів, якість яких впливає на працездатність і надійність мікроелектронної апаратури. Складність отримання високоякіс

<

Iнститут фiзики напiвпровiдникiв Iменi В.Є. Лашкарьова НАН України - 50 років

них мікрозварних та паяних з’єднань полягає в тому, що спосіб отримання з’єднань та використані для цього матеріали мають забезпечити відповідний електричний контакт, високу механічну стійкість при збереженні цілісності та необхідних фізичних властивостей мікродеталей, що з’єднуються, високу стійкість до вібрацій, працездатність в широкому діапазоні температур. У відділі розроблено та впроваджено методику позиціонування та ультразвукового зварювання системи «растр-схема зчитування», що забезпечує мінімізацію термомеханічних напружень у з’єднаннях.

Також у відділі вже багато років проводяться науково-технологічні роботи, пов’язані з виготовленням напівпровідникових мікроструктур за допомогою фотолітографії та вибухової фотолітографії. Процес фотолітографії включає в себе низку технологічних операцій: хімічна обробка пластин, нанесення фоторезисту, сушки фоторезисту, суміщення і експонування, проявлення малюнка, контроль якості проявлення, хімічне травлення металів та напівпровідникових матеріалів. Для виконання всіх цих операцій у відділі є необхідні установки та прилади. Крім цього, для покращення якості хімічних та фотолітографічних робіт у відділі створено чисту кімнату.

Важливою складовою виконаних досліджень були не тільки розробка технологічних засобів отримання чутливих до випромінювання структур, але і розробка та створення діагностичних комплексів, а також приладів технічного «зору» на основі виконаних розробок. Так, були розроблені автоматизовані стенди атестації ВІС зчитування та фотоприймальних пристров ІЧ-діапазону спектра (див. фото стенду на с. 372). Розроблені зразки тепловізійних приладів для безконтактної медичної діагностики та екологічного моніторингу, які атестовано МОЗ України. Прилади застосовано у двох медичних закладах м. Києва та використано для діагностики тепловтрат будівель.

Роботи співробітників відділу №38 відзначені Державною премією України.

Результати основних досліджень та розробок від.38 надруковано у таких виданнях:

1. F.F. Sizov, S.V. Plyatsko. Homogeneity range and nonstoichiometry defects in IY-YI narrow-gap semiconductors. J. Gryst. Growth, 92, p. 571-580 (1988).

2. Yu.S. Gromovoj, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov and S.D. Darchuk. States of paramagnetic impurities and laser-induced decomposition of impurity

Iнститут фiзики напiвпровiдникiв Iменi В.Є. Лашкарьова НАН України - 50 років

clusters in lead telluride. J. Phys.: Cond. Matter, 1, p. 6625-6631 (1989).

3. М.В. Апатская, Ф.Ф. Сизов, В.В. Тетеркин, Н.Н. Ушанкина. Электрофизические свойства сверхрешеток PbTe/PbSnTe. Физика и техника полупроводников, 23, с. 1003-1006 (1989).

4. J.V.Gumenjuk-Sichevskaya and F.F.Sizov. Dynamical nonlinear refraction in PbTe/PbSnTe MQWs. Superlattices and Microstructures, 10, p. 513-516 (1991).

5. F.F. Sizov, A. Rogalski. Semiconductor superlattices and quantum wells for infrared optoelectronics. Progr. Quant. Electron., 17, p. 93-164 (1993).

6. F.F. Sizov. Semiconductor Superlattice and Quantum Well Detectors.

In: Infrared Photon Detectors, Ed: A. Rogalski, SPIE Opt. Eng. Press, Bellingham, Washington, USA (1995), p. 561-624 (Колективна монографія).

7. F.F. Sizov, J.V. Gumenjuk-Sichevskaya, V.V. Zabudskii, V.V. Tetyorkin, V.N.

Golovin. Properties of type II mismatched PbTe/PbS superlattices. Proceed.

SPIE, 2373, p. 190-197 (1995).

8. V.V. Tetyorkin, F.F. Sizov, S.V. Svechnikov, V.G. Golovin. IV-VI compositional MQWs and SLs for optoelectronic applications. Material Science and Eng., B35, p.76-79 (1995).

9. F.F. Sizov, V.V. Zabudsky, J.V. Gumenyuk-Sichevskaya. Band offset, interand intra-band absorption in PbTe/PbS superlattices. Phys. Low-Dimen.

Struct., N3, p. 81-90 (1996).

10. S.P. Movchan, V.V. Tetyorkin, F.F. Sizov. Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique. Semiconductоr Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2, p.84-87 (1999).

11. F.F. Sizov, Yu.P. Derkach, V.P. Reva, Yu.G. Kononenko. MCT sensor readout devices with charge current injection and preliminary seagnal treatment.

Testing procedure. Opto-Electronics Review, 7, p.327-338 (1999).

12. J.V. Gumenyuk-Sichevskaya, F.F. Sizov. Currents in narrow-gap photodiodes.

Semiconductor Science and Technology, 14, p.1124-1133, (1999).

F.F. Sizov, V.V. Vasil’ev, D.G. Esaev, V.N. Ovsyuk, Y Sidorov, V.P. Reva,.G.

A.G. Golenkov, Y Derkach, Properties of 2V.N. Dobrovolsky, F.F. Sizov,.P.

Y Kamenev, and A.B. Smirnov. Ambient temperature or moderately.E.

cooled hot electron bolometer for mm and sub-mm regions. Opto-Electr.

Review, 16, N2, p. 172-178 (2008).

13. A.G. Golenkov, F.F. Sizov, Z.F. Tsybrii, L.A. Darchuk. Spectral sensivity

Iнститут фiзики напiвпровiдникiв Iменi В.Є. Лашкарьова НАН України - 50 років

dependencies of backside illuminated planar MCT photodiodes. Instr.

Phys. Techn., 47, p. 213-219 (2006)

14. V.N. Dobrovolsky, F.F. Sizov, Y Kamenev and A.B. Smirnov. Ambient.E.

temperature of moderately cooled hot electron bolometer for mm and submm regions. Opto-Electr. Review, 16, N2, p.172-178 (2008).

15. V. Dobrovolsky, F. Sizov, S. Cristoloveanu, S. Pavljuk. Silicon on insulator avalanche-impact-ionization transistor with very low switching voltage from ON state to OFF state. Solid St. Electron., 52, p. 1047-1051 (2008).



Pages:   || 2 |
Похожие работы:

«1. ПІБ Шафр Ігор Володимирович 2. Назва Механізми зростання перерізів недружнього розсіяння адронів в мультипериферичній моделі в межах теорії збурень 3. Спеціальність 01.04.16. – фізика атомного ядра, елементарних частинок та високих енергій 4. Місце роботи Одеський національний політехнічний університет 5. Де виконана дисертація Одеський національний політехнічний університет 6. Науковий керівник Русов Віталій Данилович, д.ф-м.н, професор 7. Опоненти Кайдалов Олексій Борисович, д.ф-м.н.,...»

«КИЇВСЬКИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ТАРАСА ШЕВЧЕНКА На правах рукопису УДК 621.315.592 КНОРОЗОК Леонід Михайлович ДЕФОРМАЦІЙНІ ЗМІНИ КРИСТАЛІЧНОЇ ГРАТКИ І ЕНЕРГЕТИЧНОГО СПЕКТРУ ЕЛЕКТРОННОЇ ПІДСИСТЕМИ АНТИМОНІДУ ІНДІЮ ПРИ ПОДВІЙНОМУ ЛЕГУВАННІ 01.04.10 — фізика напівпровідників та діелектриків Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук Київ — 1999 Дисертацією є рукопис. Робота виконана на кафедрі напівпровідникової електороніки радіофізичного факультету...»

«Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України Сумський державний університет Методичні вказівки до практичних робіт та самостійної роботи студентів з курсу «Вступ до спеціальності» для студентів спеціальності 090802 «Електронні прилади і пристрої» денної форми навчання Суми Сумський державний університет Методичні вказівки до практичних робіт та самостійної роботи студентів з дисципліни «Вступ до спеціальності» для студентів спеціальності 090802 «Електронні прилади і пристрої» денної...»

«Еколого-географічні аспекти і проблеми природокористування Наукові записки. №1. 2010. УДК 911:630*22:504.73] (477.83-25) Олег БАБИЧ ГЕОЕКОЛОГІЧНИЙ СТАН ЛІСОВИХ ГЕОСИСТЕМ ПРИМІСЬКОЇ ЗОНИ М. ЛЬВОВА У статті розглянуто фізико-географічні особливості, категоріальну та територіальну структуру мережі лісових урочищ. Досліджено геоекологічний стан лісових геосистем їх просторово-часове функціонування. На прикладі ландшафтних геокомплексів надано оцінку рекреаційного потенціалу. Розкрито потенційні та...»

«Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України Сумський державний університет Кафедра прикладної фізики МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ до оформлення курсових робіт з дисципліни «Технологічні основи електроніки» для студентів спеціальності 7(8).05080201 – електронні прилади та пристрої денної форми навчання Суми 2012 Затверджено на засіданні кафедри прикладної фізики протокол № від 2012 р. Укладач, к.ф.-м. н., асистент О.П. Ткач ЗМІСТ 1. Місце курсової роботи в навчальному процесі. 4 2. Структура...»

«МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ КИЇВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ТАРАСА ШЕВЧЕНКА Юхименко Віталій Васильович УДК 533.9 ВЛАСТИВОСТІ ПЛАЗМИ СУМІШІ ПОВІТРЯ З ВУГЛЕВОДНЯМИ В ДИНАМІЧНИХ ГАЗОРОЗРЯДНИХ СИСТЕМАХ АТМОСФЕРНОГО ТИСКУ 01.04.08– фізика плазми АВТОРЕФЕРАТ дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук Київ – 2013 Дисертацією є рукопис. Робота виконана на кафедрі фізичної електроніки радіофізичного факультету Київського національного університету імені...»

«VIII Міжнародна науково-практична конференція «ДУХОВНІСТЬ У СТАНОВЛЕННІ ТА РОЗВИТКУ ОСОБИСТОСТІ» 9–11 жовтня 2014 р. м. Івано-Франківськ м. Івано-Франкіівськ – Киїїв м Івано-Франк вськ – Ки в 2014 ріік 2014 р к «Духовність у становленні та розвитку особистості» Міністерство освіти і науки України Національна Академія педагогічних наук України Інститут психології імені Г.С. Костюка Лабораторія психології особистості ім. П.Р. Чамати ДВНЗ «Прикарпатський національний університет імені Василя...»

«Київський національний університет імені Тараса Шевченка НАУКОВА КОНФЕРЕНЦІЯ МОЛОДИХ ВЧЕНИХ ФІЗИЧНОГО ФАКУЛЬТЕТУ ДО ДНІВ НАУКИ «НАУКА ХХІ СТОРІЧЧЯ» 15 – 16 травня 2013 ТЕЗИ ДОПОВІДЕЙ Київ 2013 Секції наукової конференції молодих вчених «НАУКА ХХІ СТОРІЧЧЯ» ФІЗИКА Голова: Решетняк В. Ю., доктор фізико-математичних наук, професор Співголова: Єщенко О. А., доктор фізико-математичних наук, доцент ФІЗИКА КОНДЕНСОВАНОГО СТАНУ; ФІЗИКА НАНОСИСТЕМ Голова: Коротченков О. О., доктор фізико-математичних...»

«ВИДАВНИЧА ДІЯЛЬНІСТЬ Обсяги видавничої діяльності Національної академії наук України у 2000 році залишались стабільними. Установами НАН України видано понад 600 наукових книг, з них 398 монографій та більше 200 збірників наукових праць. Помітно змінилась структура книговидання. Видавництво ”Наукова думка” НАН України виконує, перш за все, державні замовлення, публікує фундаментальні, основоположні наукові праці, серійні та унікальні видання. Особливу увагу Видавництво надає словниковій...»

«УДК 631.48:631.445.26 © В. І. Гамалєй, М. І. Драган, Л. І. Шкарівська ОСОБЛИВОСТІ ГЕНЕЗИСУ ОПІДЗОЛЕНИХ ҐРУНТІВ ПРАВОБЕРЕЖНОГО ЛІСОСТЕПУ Національний науковий центр «Інститут землеробства НААН» В статті проаналізовано особливості генезису ясно-сірих супіщаних, сірих легкосуглинкових, темно-сірих лісових ґрунтів і чорноземів опідзолених, що сформувались на обмеженій території північного Лісостепу. Встановлено, що основні генетичні особливості опідзолених ґрунтів в значній мірі визначаються...»




Продажа зелёных и сухих саженцев столовых сортов Винограда (по Украине)
Тел.: (050)697-98-00, (067)176-69-25, (063)846-28-10
Розовые сорта
Белые сорта
Чёрные сорта
Вегетирующие зелёные саженцы


 
2013 www.uk.x-pdf.ru - «Безкоштовна електронна бібліотека»